Magnetoresistive Random-Access Memory


IBM och Samsung utvecklar tillsammans nästa generation av mram, ett nytt lagringsminne som är 100 000 ggr snabbare än dagens flashminne med en tid på 10 nanosekunder. Läsning ska gå 10 000 gånger snabbare. Wow!!!

IBM hoppas få i gång massproduktion av mram-minnen om tre år.

Publicerat av